Об изменении требований к транзисторам ряда массовых типов
Информация, здесь изложенная, надеюсь, позволит лучше понять, как менялись гарантированные параметры транзисторов одних и тех же (формально) типов, и почему во многих случаях разные значения не "по разным сведениям", а, скорее, "в разное время".
Самыми популярными в течение почти 30 лет (с конца 1950-х по середину 1980-х годов) были, конечно, П13-П15 и они же, переименованные в МП39-МП41. Низкочастотные усилительные (в смысле не импульсные и не ключевые) сплавные PNP транзисторы.
Предистория П13-П15.Сначала были первые советские плоскостные транзисторы П1А-П1Е (время - 1953 год), все, кроме П1Е с макс.частотой не менее 100 КГц, П1Е - 465 кГц.
[1]
Потом добавили П1Ж с 1 МГц. Затем П1И с 1.6 МГц.
Предельное напряжение коллектора 20 вольт, предельная температура окр.среды +50 град (что означало предельную температуру кристалла не более +65).
Транзисторы эти были малопригодны для практического применения из-за плохой герметизации (два паяных и один завальцованный узел, этот завальцованный был особенно плох). По этой причине они быстро выходили из строя, независимо от того, работали или хранились.
Вторая итерация - П6А-П6Д (1956 год). Эти транзисторы были более привычной формы, с корпусом, герметизированным контактой сваркой. На них в полной мере проявился "эффект второй разработки" - после первого, не сразу давшегося успеха приходит впечатление "ну теперь нам море по колено" и планируемые результаты изрядно завышены. У П6 завышено было предельное напряжение К-Б (30 вольт) и предельная температура кристалла (+100 град). Использование германия с уменьшенным удельным сопротивлением обеспечило работу при такой температуре, но буквально "на грани" и с негативными последствиями для надежности. Впрочем, и столь высокое напряжение К-Б также негативно сказывалось на надежности.
П6А B>12, Fmax>0.5MHz Ik0<20uA
П6Б B>12
П6В B>21
П6Г B>49
П6Д B>12 малошумящий.
У П6Б-П6Д Fmax>1MHz Ik0<10uA
[2]
История П13-П15 (1958 год - начало).Фактически те же П6 с измененной разбивкой на типономиналы были выпущены под названиями П13, П14, П15.
Важнейшим параметром в отстуствие более высокочастотных транзисторов сочли предельную частоту, именно она определяла тип П13 (465 КГц), П14 (1 МГц), П15 (1.6 МГц, как у П1И).
П13 B>12
П13А B>33
П13Б B>12 малошумящий
П14 B>20
П15 B>20
[3]
Сведения о предельном напряжении К-Б самых ранних П13-П15 несколько противоречивы (15? 20? 30? вольт), но с самого начала было указано, что не рекомендуется более 10 вольт, если нужны высокие надежность и долговечность.
Далее нормы на параметры были изменены. Предельное напряжение К-Б стало 30 вольт, предельная частота П13 (всех букв) 500 кГц (что несущественно, просто стали проверять на чуть более высокой частоте), а П15 2 МГц - это более важно, обеспечивало лучшую работу в усилителе промежуточной частоты радиоприемников, где П15 использовались в связи с дефицитом уже существовавших П401-П403. В частности, в приемнике "Спидола" (высокого для своего времени класса, с растянутыми КВ диапазонами) использовались в смесителе и гетеродине два П403, а в усилителе промежуточной частоты три П15.
Ключевое изменение сделано в 1962 году.
Несколько факторов:
- производство стабилизировалось и стало понятно, что и в каких количествах получается,
- поскольку в переносной аппаратуре типично напряжение питания 9 вольт и ниже, а в автомобильной и стационарной 12 вольт, в основном достаточно предельное напряжение 15 вольт, и нужен лишь ограниченный выпуск 30-вольтовых транзисторов, но таких, что при 30В работают надежно,
- установлена тесная корреляция предельной частоты усиления и параметра В, поскольку качество полупроводника стабилизировалось и время жизни носителей тоже. При этом и предельная частота, и В зависят в основном от толщины базы, что и определяет корреляцию,
- для удобства применения транзисторов надо сократить разброс параметров каждого типономинала.
Поэтому типономинал П13А (низкочастотный с большим В), был исключен, а в группы П14 и П15 типономиналы добавлены.
Получилось так:
П13 В>12, Fmax>0.5 МГц.
П13Б В=20-60, Fmax>1 МГц. Малошумящий.
П14 В=20-40, Fmax>1 МГц.
П14А В=20-40, Fmax>1 МГц, Umax=30 В.
П14Б В=30-60, Fmax>1 МГц, Umax=30 В.
П15 В=30-60, Fmax>2 МГц.
П15А В=50-100, Fmax>2 МГц.
Где Umax не указано, оно равно 15 В.
Предельная температура кристалла стала +85 град.
Для всех типономиналов В максимальное отличается от В минимального в 2 раза, кроме П13Б малошумящего, где в 3 раза (ради отбора из большего числа подходящих по другим параметрам) и П13, который "третий сорт не брак" (основная масса транзисторов этого типономинала - с малым В, но также в него попадают те, что не подходят под другие типономиналы, например, с В>40 при Fmax<2 МГц).
Такое разбиение по типономиналов, с довольно большим перекрытием параметра В у типономиналов, другими параметрами не отличающихся, направлено на то, чтобы была определенная свобода распределения транзисторов по типономиналам.
Для производителя, разбивающего продукцию по типономиналам, очень неприятной является ситуация, когда одни типономиналы в дефиците, а другие недостаточно востребованы и забивают склад готовой продукции. А такая разбивка дает производителям транзисторов изрядную свободу в том, чтобы выпускать каждого типономинала в соответствии с потребностью, а заодно сократить в разумных пределах количество проверок транзисторов (эти проверки не бесплатны, требуют и трудозатрат, и оборудования).
Если, например, требуется больше малошумящих П13Б - все транзисторы с В=20-60 сначала проверяются на малые шумы, а потом на другие параметры.
Если требуется больше высоковольтных П14А и П14Б - из всех с В=20-60 сначала отбирают те, что держат 30 вольт.
Соотношение между П14А и П14Б легко менять, устанавливая грань их разделения в пределах от 30 до 40.
Если П14А слишком много, а П14 не хватает - часть П14А без дополнительных проверок переводят в П14.
Эти и другие, столь же очевидные приемы позволяют подстроить выпуск всех типономиналов к потребности в них.
Немного раньше, чем эти транзисторы перевели в холодносварные корпуса (добавив к обозначению букву М, то есть были П13-П16, стали МП13-МП15) их разделили на "военные" (спецприменений) и "гражданские" (общего назначения).
Вышеописанное разделение на типономиналы относится к "военным".
Согласно [6], ранний вариант "военнных" включал П13 с В=12-45. Но у МП13 - просто >12.
А "гражданские" получили другие номера (П39-П41, впоследствии МП39-МП41):
МП39 В>12, Fmax>0.5 МГц.
МП39Б В=20-60, Fmax>0.5 МГц. Малошумящий.
МП40 В=20-40, Fmax>1 МГц.
МП40А В=20-40, Fmax>1 МГц, Umax=30 В.
МП41 В=30-60, Fmax>1 МГц.
МП41А В=50-100, Fmax>1 МГц.
Как видим, отличия есть:
У МП39Б Fmax>0.5 МГц, а не 1 МГц.
МП40Б (30 вольт с увеличенным В) нет.
МП41 и МП41А с Fmax>1 МГц, а не 2 МГц.
В основном эти отличия сделаны, чтобы сократить объем проверок при разделении на типономиналы.
А возможное снижение Fmax для МП41 и МП41А стало несущественно, поскольку перестали быть дефицитом высокочастнотные транзисторы и исчезла нужда применять МП41 и МП41А в цепях средних и относительно высоких частот.
Согласно [6], в составе П39-П41А был П40Б аналогичный МП14Б (а в остальном П39-П41А совпадают с МП39-МП41А), но в составе МП39-МП41А этого типономинала (МП40Б) уже не было.
Германиевые PNP сплавные транзисторы П5Эти транзисторы были выпущены в стеклянных корпусах, которые оказались недостаточно герметичны, потом переведены в металло-стеклянные корпуса. Предназначены в первую очередь для слуховых аппаратов, отличались малыми шумами. Также применялись в особо миниатюрных ранних радиоприемниках.
Первоначально стеклянный корпус диаметр 5 мм, высота 14.8 мм.
П5А А(коэффициент.передачи с общей базой)>0.93, Iк0<30 мкА, Fш<10 дБ
П5Б А=0.95-0.975, Iк0<15 мкА, Fш не лимитирован
П5В А=0.97-0.995, Iк0<15 мкА, Fш не лимитирован
П5Г А=0.97-0.995, Iк0<15 мкА, Fш<18 дБ
П5Д А=0.95-0.975, Iк0<15 мкА, Fш<10 дБ
[3]
Добавился П5Е (А=0.9-0.975, Fш<18 дБ) [10]
Потом металло-стеклянный корпус диаметр 4.5, высота 9 мм.
Подчеркнуты изменившиеся параметры.
П5А
А=0.93-0.95,
Iк0<15 мкА,
Fш<12 дБП5Б А=0.95-0.975, Iк0<15 мкА, Fш не лимитирован
П5В А=0.97-0.995, Iк0<15 мкА, Fш не лимитирован
П5Г А=0.97-0.995, Iк0<15 мкА, Fш<18 дБ
П5Д
А=0.95-0.995, Iк0<15 мкА, Fш<10 дБ
http://155la3.ru/datafiles/p5_tu_1967.pdfВ 1967 году они уже были в категории "в новых разработках не применять".
Что не удивительно - малошумящие были П27-П28, миниатюрные ГТ108 и ГТ109 (причем ГТ109И малошумящий, ГТ109 - см.
https://radio-komplekt.ru/im/labels2/ГТ109.pdf ).
Германиевые ключевые PNP транзисторы П16(МП42)Первоначально выпускались
П16 B>19 Fmax>1 МГц.
П16А B>32 Fmax>1 МГц.
П16Б B>49 Fmax>1 МГц.
П16В B>49 Fmax>2 МГц.
[6], а также
http://155la3.ru/datafiles/p16.pdfЗатем (поскольку В сильно коррелирует с Fmax), П16Б и П16Б были объединены в П16Б и стало:
П16 B=20-35 Fmax>1 МГц.
П16А B=30-50 Fmax>1 МГц.
П16Б B=45-100 Fmax>2 МГц.
А с переводом в холодносварной корпус, они же ("военный" вариант) стали называться МП16-МП16Б.
"Гражданский" вариант - МП42, МП42А, МП42Б с теми же параметрами.
За единственным отличием - МП42Б Fmax>1 МГц, как и МП 42, МП42А. Глубокого смысла в этом нет, практически все они по факту с Fmax>2 МГц, но это позволяет сократить проверки. Все тестируются только на 1 МГц.
Германиевые NPN сплавные транзисторы П8-П11 (МП35-МП38).У этих транзисторов нет предшественников, они - первые отечественные серийные NPN транзисторы.
Первоначально они делились на типономиналы:
П8 B>9 Fmax>0.1 МГц.
П9 B>9 Fmax>0.465 МГц.
П9А B>16 Fmax>0.465 МГц, малошумящий.
П10 B>16 Fmax>1 МГц.
П11 B>16 Fmax>1.6 МГц.
[3]
Предельное напряжениие коллектор-база 20 вольт, коллектор-эмиттер 15 аольт.
Предельная температура кристалла +100 град.
По другим сведениям, требования к В немного другие.
У П9А B>12
У П10 и П11 B>20.
[5]
Видно, что нет группы с большим В и вообще В несколько меньше, чем у П13-П15. Так получалось по факту.
Затем несколько изменили предельную частоту, как и у П13-П15.
У П9 и П9А стало 0.5 МГц, а не 0.465, а у П11 2 МГц, а не 1.6 МГц. Предельное напряжение К-Б, как и К-Э, стало 15 вольт.
[4]
Затем в 1962 году одновременно с П13-П15 изменили типономиналы.
П8 В>10 Fmax>0,5 МГц
П9А B=15-45 Fmax>1 МГц, малошумящий.
П10 B=15-30 Fmax>1 МГц.
П10А B=15-30 Fmax>1 МГц, Umax=30 В.
П10Б B=25-50 Fmax>1 МГц, Umax=30 В.
П11 B=25-55 Fmax>2 МГц.
П11А B=45-100 Fmax>2 МГц.
[4]
Те, у которых Umax не указано, имеют Umax=15 В.
Предельная температура кристалла стала +85 град.
Видно, что В несколько меньше, чем у аналогичных типономиналов П13-П15, и П8 вообще исключили. С переводом в холодносварные корпуса они стали МП9А-МП11А.
Это типономиналы "военной" версии П9-П11.
Соглпасно [6], в "военной" версии был П8 с В=10-25, Fmax>0,5 МГц, Umax=15 В (уже снятый с производства), а также П9 с В=10-20, Fmax>0,5 МГц, Umax=15 В (выпускаемый). Но в МП9А-МП11А не было ни того, ни другого.
Для "гражданской" (названной П35-П38, а с переводом в холодносварные корпуса МП35-МП38) они такие же, но добавлен "третий сорт не брак":
МП35 B=13-125 Fmax>0.5 МГц
Все остальные (МП36А как МП9А, МП37, МП37А, МП37Б как МП10 с теми же буквами, МП38 и МП38А как МП11 с теми же буквами) соответствуют "военным".
Соглпасно [6], выпускались П35-П38А с парамитрами, которые указаны парой строчек выше для МП35-МП38А.
А вот в холодносварном корпуске [6] упоминает только МП37А,МП37Б и МП38А - видимо, данные об этом взяты из перечня транзисторов, рекомендованных для применения в телевизорах, где упомянуты только эти три.
Этот перечень, с указанием их параметров, был опубликован в [7].
Кремниевые NPN сплавные транзисторы П101-П103, МП111-МП113.Эти транзисторы были первоначально разработаны, как "могущие работать при температуре +100 град", а остальное как получится.
Получилось так:
П101 В>9, Fmax>0.2 МГц, Umax=20 В
П101А В>9, Fmax>0.2 МГц, Umax=10 В малошумящий
П102 В>13, Fmax>0.465 МГц, Umax=10 В
П103 В>9, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
Максимальная температура окр.среды +120 град.
[3],[5]
Затем для П102 стала Fmax>0.5 МГц (вместе с П13-П15, П8-П11, у всех с Fmax>0.465 МГц сделали Fmax>0.5 МГц).
[4]
Потом П101-П103 были разделены на "военные" МП101-МП103 и "гражданские" МП111-МП113 и добавлен ряд типономиналов.
МП101 В=10-25, Fmax>0.5 МГц, Umax=20 В
МП101А В=10-30, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В малошумящий
МП101Б В=15-45, Fmax>0.5 МГц, Umax=20 В
МП102 В=15-35, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В
МП103 В=15-45, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
МП103А В=30-75, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
Предельная температура +120 град.
А также
МП101В В>10, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В
МП102В В=15-35, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В
МП103В В=30-75, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
Предельная температура для транзисторов с буквой "В" +100 град.
[8]
Впоследствии транзисторы с буквой "В" были сняты с производства, а для МП102 установлен В=15-45.
"Военные" и "гражданские":
МП101, МП111 В=10-25, Fmax>0.5 МГц, Umax=20 В
МП101А, МП111А В=10-30, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В малошумящий
МП101Б, МП111Б В=15-45, Fmax>0.5 МГц, Umax=20 В
МП102, МП112 В=15-45, Fmax>0.5 МГц, Umax=10 В
МП103, МП113 В=15-45, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
МП103А В=30-75, Fmax>1 МГц, Umax=10 В
МП113А В=35-105, Fmax>1,2 МГц, Umax=10 В
Температура окр.среды для "военных" от -60 до +125 град.
Температура окр.среды для "гражданских" от -55 до +100 град.
[9]
Кремниевые PNP сплавные транзисторы П104-П106, МП114-МП116.Согласно [13]
П104 В>11.5, Fmax>0.1 МГц, Uкбmax=100 В, Uкэmax=60 В
П105 В>11.5, Fmax>0.2 МГц, Uкбmax=45 В, Uкэmax=30 В
П106 В>19, Fmax>0.465 МГц, Uкбmax=45 В, Uкэmax=15 В
Uкбmax - максимальное напряжение на переходе к-б закрытого транзистора.
Uкэmax - максимальное напряжение на переходе к-э транзистора в режиме усиления.
Согласно [5]
П104 В>9, Fmax>0.1 МГц, Umax=60 В
П105 В>9, Fmax>0.1 МГц, Umax=30 В
П106 В>13, Fmax>0.465 МГц, Umax=15 В
Максимальная температура окр.среды +125 град.
Как видим, нормы несколько понизили, это часто бывает с переходом от опытного производства (где наилучшее оборудование и самые квалифицированные работники) на обычное серийное, где класс пониже.
Затем, как и у остальных типов транзисторов с Fmax>0.465 МГц, у П106 была установлена Fmax>0.5 МГц.
[8]
Затем транзисторы переведены в холодносварной корпус и стали называться МП104-МП106 "военные" и МП114-МП116 "гражданские".
МП104, МП114 В>9, Fmax>0.1 МГц, Umax=60 В
МП105, МП115 В=9-45, Fmax>0.1 МГц, Umax=30 В
МП106, МП116 В=15-100, Fmax>0.5 МГц, Umax=15 В
Температура окр.среды для "военных" от -60 до +120 град.
Температура окр.среды для "гражданских" от -55 до +100 град.
[9]
При этом согласно [9] пробивное напряжение перехода б-э (проверяемое на переменном токе 50 Гц, это более легкий режим, чем на постоянном токе и меньше шанс, что транзистор будет поврежден)
МП114 >70 В
МП115 >40 В
МП116 >20 В.
То есть первоначальные требования (100 и 45 вольт) серьезно ослаблены.
Мощные германиевые PNP транзисторы П4.Первоначально у них устанавливались значения В (при Uкэ=10 В, Iк=2А)
П4А В>5
П4Б В=8-20
П4В В>10
П4Г В=10-20
П4Д В>20
И у всех типономиналов была одниаковая макс.мощность рассеивания с радиатором 30 Вт.
[3]
Но очень скоро установили более высокие значения В.
П4А В>5
П4Б В=15-40
П4В В>10
П4Г В=15-30
П4Д В>30
[5]
Макс.мощность рассеивания с радиатором стала для П4А 20 Вт, для остальных 25 Вт.
[9]
В первой половине 1960-х годов ввели внутренний экран в корпусе транзисторов, для защиты кристалла от выплесков металла при контактной сварке, в связи с чем в обозначение добавили букву Э. Стало П4АЭ -П4ДЭ.
Впоследствии они переведены в холодносварной корпус и стали называться П4АМ-П4ДМ.
Затем (1963-1964 год) их переназвали:
П4АМ - П216Г
П4БМ - П217В
П4ВМ - П216Б
П4ГМ - П216Д
П4ДМ - П216В
Причем именно переназывали, без изменения параметров.
Также дополнили еще несколькими типономиналами П216 и П217.
http://155la3.ru/datafiles/p216_p217_tu_1966.pdfТаким образом, одни из самых первых отечественных транзисторов (еще до П6, предшественников П13-П15) выпускались очень долго, пока вообще выпускались отечественные германиевые транзисторы.
П4АЭ-П4ДЭ в старых корпусах также выпускались по крайней мере до 1980-х годов.
Мощные германиевые PNP транзисторы П201-П203.У этих транзисторов параметры не менялись. Менялось обозначение типа.
Первоначально (конец 1950-х) П201 назывался П8, а П201А - П8А. В литературе это упоминается очень редко. Я такие транзисторы видел в какой-то старой уже в 1970-е годы аппаратуре. Корпус как у П201, но написано на нем П8. Также цоколёвка П8 (совпадающая с цоколёвкой П4) указывается в "Радио" 1957 №9 стр. 58, а сами они (П8А) показаны на схеме УНЧ в "Радио" 1958 №7 стр.36, а также в "Радио" 1959 №7 стр.18.
Ну и у П201-П203, как и у П4, с введением внутреннего экрана в корпусе добавлена буква Э, стали П201Э-П203Э.
Еще можно отметить, что они выпускались как минимум в трех разных корпусах. В частности, в холодносварном корпусе (как у П213-П217) они назывались П201М-П203М.
И более того - П201М-П23М были переназваны (1963-1964 год):
П201М - П213А
П201АМ - П213Б
П202М - П214В
П203М - П214Г
Причем это именно смена названия без смены гарантированных параметров.
Но за счет прогресса в технологиях были введены еще несколько более совершенных типономиналов - П213, П214, П214А, П214Б, П215.
http://155la3.ru/datafiles/p213_p215_tu_1966.pdfГерманиевые высокочастотные PNP транзисторы П401-П403.Эти транзисторы по сплавно-диффузионной технологии созданы в 1957 году (практически одновременно с аналогичными на Западе).
Хотя высокочастотные транзисторы изготовлялись и раньше, они были нетехнологичны и дороги, поэтому применение их было ограниченным. Сплавно-диффузионная технология была первой, позволившей создать дешевые массовые транзисторы для высоких частот.
Первоначально параметры П401-П403 были:
П401 В>24, Fген>30 МГц, Rb*Ck<3500 пС.
П402 В>24, Fген>60 МГц, Rb*Ck<1000 пС.
П403 В>24, Fген>120 МГц, Rb*Ck<500 пС.
[3]
Почему для этих транзисторов установлена частота генерации, а не макс.частота коэффициента передачи?
Потому что в то время было трудно мерять с необходимой точностью малые переменные токи высоких частот. Обнаружение генерации при подключении транзистора к колебательному контуру практически любой частоты было несравненно проще.
Однако вскоре требования к В были изменены и введен новый типономинал П403А.
Далее указывается только В, поскольку остальные требования не менялись.
П401 В>16
П402 В>16
П403 В=16-32
П403А В>32
[5], [6]
Согласно [10]
П401 В>16
П402 В>16
П403 В=32-100
П403А В>16
Согласно [8]
П401 В=16-300
П402 В=16-300
П403 В=32-100
П403А В>32
Для П401 и П402 установили верхний предел В и повысили нижний предел В для П403А.
Следует отметить, что еще до 1964 года П401-П403 стали только "военные", а для "гражданских" применений созданы аналогичные П420-П423.
Согласно [9]:
П401 В>16
П402 В>16
П403 В=32-100
П403А В>16
Это данные уже 1980-х годов.
Согласно [11]
П401 В=16-300
П402 В=16-250
П403 В=30-100
П403А В=16-200
Как видим, полной однозначности нет, видимо, требования ТУ несколько "гуляли".
В 1961 году для замены П401-П403 в "военных" применениях были выпущены транзисторы П414 (60 МГц) и П415 (120 МГц), но они выпускались недолго и широкого применения не получили, а выпуск П401-П403 (переведенных в холодносварной корпус) продолжался и в 1980-е годы.
Для замены П401-П403 в "гражданских" применениях были выпущены П420-П423, о них чуть ниже.
Германиевые высокочастотные PNP транзисторы П420-П423.П420 В>12, Fген>30 МГц, Rb*Ck<5000 пС.
П421 В>15, Fген>30 МГц, Rb*Ck<3500 пС.
П422 В=30-100, Fген>60 МГц, Rb*Ck<1000 пС. Малошумящий.
П422А В>15, Fген>60 МГц, Rb*Ck<1000 пС.
П423 В=30-100, Fген>120 МГц, Rb*Ck<500 пС. Малошумящий.
П423А В>15, Fген>120 МГц, Rb*Ck<500 пС.
[6]
Впоследствии, когда процесс производства стабилизировался, производство большинства типономиналов прекратили, оставили только два лучших, П422 и П423, немного изменив пределы В (В=24-100).
П422 и П423 применялись в радиоприемной аппаратуре взамен П401-П403, пока не пришло время заменить их на более современные транзисторы (КТ315).
Германиевые высокочастотные PNP транзисторы П416 и 1Т308/ГТ308.Разработаны были в 1960 году по ОКР "Папоротник" как транзисторы повышенной надежности. Хотя это универсальные транзисторы, использовались они в первую очередь в импульсных и цифровых схемах. В частности, на них были построены ЭВМ Минск-32 (самая массовая в соотв.период ЭВМ среднего класса) и БЭСМ-6 (около 15 лет бывшая самой быстрой советской ЭВМ общего назначения).
Хотя хорошо работали и в усилительных схемах.
П416 Fmax>50 МГц, Вст=25-75
П416А Fmax>80 МГц, Вст=50-120
П416Б Fmax>80 МГц, Вст=80-200
П416В Fmax>100 МГц, Вст=120-300
Причем Вст мерялся в режиме Iк=50 мА, Uкэ=3 В.
[12], те же данные в сборнике "В помощь радиолюбителю" выпуск 19.
Впоследствии стали мерять не Вст, а В (динамический коэффициент усиления) в совсем другом режиме, Iк=5 мА, Uкэ=5 В.
Для "гражданских" П416:
П416 Fmax>40 МГц, В=20-80
П416А Fmax>60 МГц, В=60-125
П416Б Fmax>80 МГц, В=90-250
http://155la3.ru/datafiles/p416_pasp_2.pdfДля "военных" П416:
П416 Fmax>40 МГц, В=20-80 Вст=25-100
П416А Fmax>60 МГц, В=60-125 Вст=60-140
П416Б Fmax>80 МГц, В=100-200 Вст=100-260
http://155la3.ru/datafiles/p416_pasp_1966.pdfДля "военных" наряду с В приводится и Вст (в том же режиме Iк=50 мА, Uкэ=3 В), но только "по особому договору".
Кстати, отличие В для П416Б объясняется разными требованиями к "военным" и "гражданским".
Как видим, классификация по группам П416 поменялась в ходе развертывания производства, группа П416В при этом исчезла, за ненадобностью.
Отмечу, что "военные" (с "гражданскими" я дела не имел) П416Б отличаются чрезвычайной однородностью параметров, Вст при токе коллектора 5 мА у них отклоняется от медианного значения не более чем на 10%.
Модернизированный вариант П416 был выпущен как 1Т308. Они первоначально также делились на 4 группы:
1Т308А Fmax>90 МГц, Вст=25-70
1Т308Б Fmax>120 МГц, Вст=50-120
1Т308В Fmax>120 МГц, Вст=80-150
1Т308Г Fmax>120 МГц, Вст=100-300
Вст мерялся в режиме Iк=10 мА, Uкэ=1 В.
[6]
Впоследствии группа 1Т308Г была исключена, а параметры как "военных" 1Т308А-1Т308В, так и "гражданских" ГТ308А-ГТ308В соответствовали приведенным выше.[9]
Добавлю, что 1Т308В был полноценной заменой "военному" П416Б, ставился без каких-либо изменений.
И что имеет место занятное совпадение - и у П416, и у его модернизированного варианта 1Т308 начиналось с разбивки на 4 группы, но практически сразу сократилось до 3 групп.
Литература:
[1] Радио 1955, №6 стр 30.
[2] Радио 1956, №6 стр 55.
[3] Радио 1958, №12, стр 50-52.
[4] В.К.Лабутин, Транзисторы общего назначения, МРБ 526, 1964.
[5] Я.А.Федотов, Ю.В.Шмарцев, Транзисторы, "Сов.радио", М., 1960.
[6] В.Ю.Лавриненко, Справочник по полупроводниковым приборам, "Техника", Киев, 1971.
[7] А.Клейман, К.Шор, Транзисторы для телевизоров, издательство ДОСААФ, М., 1969.
[8] В.К.Лабутин, Транзисторы, МРБ 638, 1967.
[9] Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н.Горюнова., М., Энерогоизат, 1982
[10] Радио 1960, №8, стр 51-54.
[11] Радио 1969, №10, стр 54-57.
[12] Радио 1963, №1, стр 52-57.
[13] А.М.Бройде, Ф.И.Тарасов, Справочник по электровакуумным и полупроводниковым приборам, М.-Л., Госэнергоиздат, 1961, МРБ 383.
Также надеюсь дать аналогичную информацию еще о ряде типов транзисторов.
Часть 2 -
https://pogorily.livejournal.com/209791.html 
